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低應力PECVD氮化硅薄膜的制備

低應力PECVD氮化硅薄膜的制備

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級別:| 積分:0 分 | 瀏覽:80373 | 大。126.50KB | 下載:4448 次 | 上傳:2013-10-22

簡介:

研究了等離子增強化學氣相淀積(PECVD)工藝中射頻條件(功率和頻率)對氮化硅薄膜應力的影響。對于不同射頻條件下薄膜的測試結(jié)果表明:低頻(LF)時氮化硅薄膜處于壓應力,高頻(HF)時處于張應力,且相同功率時低頻的沉積速率和應力分別為高頻時的兩倍左右。

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